华诚钨钼钨银合金：高导抗蚀可定制，广泛用于低压电器等多领域

钨银合金是由高熔点金属钨（W，熔点3410℃）与高导电导热金属银（Ag，熔点961℃）通过粉末冶金及真空熔渗工艺复合形成的“假合金”材料。由于钨与银在液态和固态下均互不相溶，无法采用传统熔铸法生产，需通过粉末冶金技术实现两相结构的均匀分布。该材料综合了钨的高熔点、高硬度、低热膨胀系数与银的导电、导热性能，微观组织均匀，耐电弧烧蚀。华诚钨钼采用等静压成型、高温烧结钨骨架、真空熔渗银的工艺路线，可生产含银量15%-70%的各类钨银合金制品。

产品特性：

● 密度范围： 11.75-16.70 g/cm³，随银含量增加而降低

● 导电性能： 导电率37%-75% IACS，高于同等钨含量的钨铜合金

● 导热性能： 导热性高于钨铜合金，适用于散热要求高的场景

● 抗电弧烧蚀： 银的蒸发带走电弧热量，钨骨架提供抗熔焊性能

● 接触电阻： 接触电阻低于钨铜材料，适用于频繁开闭操作的场合

● 抗氧化性： 银在大气环境中表面形成氧化膜，但可通过镀层处理改善

产品优势：

● 高导电导热： 银的导电率（约106% IACS）高于铜（约100% IACS），钨银合金整体导电导热性能良好

● 抗熔焊性能： 钨颗粒在电弧作用下不易熔融，可减少触头熔焊现象

● 材料转移小： 在直流电路中，银钨合金的材料转移量低于部分其他触头材料，有利于延长使用寿命

● 接触电阻稳定： 相比钨铜合金，钨银合金在大气环境中形成的表面氧化膜对接触电阻的影响较小

● 可定制成分： 银含量15%-70%可调，适应不同工况对导电率与耐磨损的平衡需求

产品重要数据：

● AgW30（银含量70±1.5%）：密度≥11.75 g/cm³，导电率≥75% IACS，硬度≥75 HB，电阻率≤2.3 μΩ·cm，主要应用于对导电性要求较高的低压开关、继电器。

● AgW40（银含量60±1.5%）：密度≥12.40 g/cm³，导电率≥66% IACS，硬度≥85 HB，电阻率≤2.6 μΩ·cm，适用于中等电流的接触器、断路器。

● AgW50（银含量50±2.0%）：密度≥13.15 g/cm³，导电率≥57% IACS，硬度≥105 HB，电阻率≤3.0 μΩ·cm。

● AgW55（银含量45±2.0%）：密度≥13.55 g/cm³，导电率≥54% IACS，硬度≥115 HB，电阻率≤3.2 μΩ·cm。

● AgW60（银含量40±2.0%）：密度≥14.00 g/cm³，导电率≥51% IACS，硬度≥125 HB，电阻率≤3.4 μΩ·cm。

● AgW65（银含量35±2.0%）：密度≥14.50 g/cm³，导电率≥48% IACS，硬度≥135 HB，电阻率≤3.6 μΩ·cm，适用于15-100A断路器动静触头。

● AgW70（银含量30±2.0%）：密度≥14.90 g/cm³，导电率≥45% IACS，硬度≥150 HB，电阻率≤3.8 μΩ·cm，抗弯强度≥657 MPa。

● AgW75（银含量25±2.0%）：密度≥15.40 g/cm³，导电率≥41% IACS，硬度≥165 HB，电阻率≤4.2 μΩ·cm，抗弯强度≥686 MPa。

● AgW80（银含量20±2.0%）：密度≥16.10 g/cm³，导电率≥37% IACS，硬度≥180 HB，电阻率≤4.6 μΩ·cm，抗弯强度≥726 MPa。

● AgW85（银含量15±2.0%）：密度≥16.70 g/cm³，硬度≥195 HB，电阻率≤5.0 μΩ·cm，适用于对耐磨性、抗熔焊性要求较高的场合。

产品行业应用：

● 低压电器触头： 用于塑壳断路器、继电器、接触器等电器的动触头和静触头，尤其在频繁开闭操作的场合具有优势

● 电火花加工电极： 作为电火花放电电极材料，损耗率较低、加工精度高

● 电阻焊电极： 用于点焊、缝焊等电阻焊工艺，导电导热性能良好

● 固体火箭喷管： 应用于部分导弹喷管喉衬，利用银的发汗冷却效应

● 电子封装与热沉： 作为功率器件的散热基板和热沉材料

● 航空航天与国防： 用于耐高温、高导电要求的特殊部件